搜索
您的当前位置:首页正文

三星3nm良率翻至3倍!仍落后于台积电

2024-06-14 来源:柱子科技

据媒体透露,有消息人士称,三星电子的3纳米Gate-All-Around(GAA)工艺的良率已经实现了三倍的提高,从先前的10%至20%上升至30%至60%之间,然而,这仍然落后于竞争对手台积电。

除此之外,台积电还宣布今年将3纳米晶圆的产量扩大到每月约10万片,这使得三星几乎没有赶上代工竞争对手台积电的机会。

报道指出,三星电子在其第二代3纳米GAA工艺上投入了更多精力,并在功耗、性能和逻辑区域方面进行了改进。

然而,这并没有为三星吸引更多客户。一份报告指出,要重新赢得像高通等先前的客户认可,三星需要将良率提高到70%。而这些企业在可预见的未来将继续选择台积电。

本月初,韩国媒体报道称,三星电子已经通知客户和合作伙伴,自今年年初起,将第二代3纳米工艺改名为2纳米工艺。

一位业内人士表示:“我们收到了三星电子的通知,他们正在将第二代3纳米工艺更名为2纳米工艺。去年签订的第二代3纳米合同也同步转为了2纳米,因此我们近期需要重新签订合同。”

声明: 1.本站大部分内容均收集于网络或是用户自行发布!若内容若侵犯到您的权益,,我们将第一时间处理! 2.资源所需价格并非资源售卖价格,,并且本站不提供任何免费技术支持 3.所有资源仅限于参考和学习,版权归原作者所有。

柱子科技还为您提供以下相关内容希望对您有帮助:

三星如何计划在2026年前将其半导体芯片产能增加三倍以追赶台积电?

全球半导体巨头三星宣布雄心勃勃的扩张计划三星电子,全球半导体行业的领军者,正积极应对芯片短缺的挑战,誓言在2026年前将其产能翻一番,以巩固其行业地位。这家韩国科技巨头周四宣布,将实施一项前所未有的产能扩充策略,计划新建一座代工厂并提升现有设施,直接瞄准市场领头羊台积电和新晋竞争者英特尔的代工服...

三星3nm工艺追上台积电了吗?

结论:三星,全球半导体市场的强大竞争者,尽管在技术和产能上一度落后于台积电,但并未停止追赶的脚步。最近,三星通过首发量产3nm工艺,显示出其在技术追赶上的决心。然而,与台积电的差距依然显著,台积电的2nm工艺已经发布,预示着三星还有很长的路要走。三星作为半导体行业的关键力量,其存储芯片领域的领...

三星3nm工艺能否缩小与台积电的差距?

尽管如此,三星并未放弃超越台积电的目标,其3nm工艺的全球首发量产就是一个重要里程碑。6月底的3nm GAE工艺相较于5nm,能效提升45%,面积减少16%,性能增长23%,显示了三星在工艺研发上的努力。而第二代3nm GAP工艺更是将能耗降低50%,性能提升30%,面积缩减35%,显示了三星在追赶先进工艺方面的决心。

三星3nm工艺真领先台积电1年?还能继续领先到1nm?

根据三星的路线图,其3nm节点的创新技术——3GAE工艺,预计将在2021年实现量产,领先于台积电的3nm节点,甚至可能领先Intel 1-3年。三星采用的GAA(环绕栅极晶体管)工艺,通过MBCFET技术,显著提升晶体管性能,这使得其3nm工艺在技术层面上与FinFET技术相比具有显著进步。MBCFET技术的兼容性使其工艺开发和生...

三星2021年3nm工艺是否能追上台积电?

三星的3nm工艺,即3GAE,将采用GAA晶体管技术,这将替代FinFET,显著提升性能。尽管官方未明确量产时间,但2021年是高概率事件。相比于7nm,3GAE工艺在面积、功耗和性能上都有显著改进,预示着在未来的电子产品中将占据主导地位。为了尽早让客户参与到3GAE工艺的设计中,三星在4月发布了PDK 1.0工艺设计...

三星3nm工艺首秀,芯片制程之争,谁将是最后赢家?

三星的3nm工艺制程晶体管的密度能增加80%多,功耗降低50%;台积电的3纳米制程集体密度增加70%,功耗可降低27%。但从技术参数上来看,三星的3nm工艺似乎是更领先的。但是技术参数是一回事,实际表现又是另一回事,这一次三星和台积电谁会是最后的赢家了?芯片制造技术有多重要就不必多说了吧,目前中国大陆...

三星和台积电谁将在3nm芯片制程上首先实现量产?

台积电原定于4月29日的北美技术研讨会上公布其3nm芯片技术,目标是于2022年大规模生产,生产线预计在台湾建设。然而,三星电子早在今年1月就宣布开发成功3nm制程工艺,这表明三星在技术布局上可能早于台积电,制程技术相对更成熟。制程技术的进步,如光刻、蚀刻、金属、化学气相沉积和离子注入等,需要巨大的...

三星3nm制程是否真的领先台积电和英特尔?

三星在先进制程技术上展现实力,领先台积电和英特尔 三星电子在持续日韩贸易冲突的背景下,仍坚定推进其先进制程技术的研发。据报道,三星将在9月的东京晶圆代工论坛上展示其名为「环绕闸极」(GAA)的3纳米以下芯片制程技术,这一技术比全球晶圆代工龙头台积电领先一年,相较于英特尔更是超前两到三年。尽管...

三星为何选择GAA晶体管技术与台积电的FinFET工艺竞争?

2022年伊始,科技巨头三星为了在与台积电的芯片竞赛中抢占先机,在3nm节点上大胆选择了革新性的GAA晶体管技术,展现出其激进的战略态势。相比之下,台积电则显得更为稳健,他们沿用了FinFET工艺的1代3nm工艺,预计将在今年下半年实现大规模生产,这无疑为市场带来了明确的时间表。在近日的财报会议上,台积电...

三星2021年能否追上台积电,成功量产3nm工艺?

目前,半导体制造工艺已进入10nm以下的领域,尽管台积电率先量产了7nm工艺,但三星凭借7nm EUV工艺追赶,尽管落后一年,但正加快脚步。三星计划年内完成6nm工艺的大规模生产,并开发4nm工艺,6nm工艺将于今年四月完成产品设计,5nm工艺预计2020年量产,与台积电同步。进入3nm节点,三星采用GAA晶体管技术,即3G...

Top